FDV303N-GK
IC
SOT-23
可供量大可议
FDV303N-GK
特性：快速开关。 低RDS(ON)。 沟槽MOSFET技术。 这是无铅器件。 产品材料符合RoHS要求且无卤素。 应用：低端负载开关。 电平转换电路
品牌
GOODWORK
封装
SOT-23
库存
2,040
货期
现货
FDV303N-GK参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | GOODWORK(固得沃克) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2040 |
FDV303N-GK概述
特性：快速开关。 低RDS(ON)。 沟槽MOSFET技术。 这是无铅器件。 产品材料符合RoHS要求且无卤素。 应用：低端负载开关。 电平转换电路
FDV303N-GK特性
暂无产品特性。
FDV303N-GK应用领域
暂无应用领域。