FDV303N
IC
SOT-23
可供量大可议
FDV303N
场效应管(MOSFET) 350mW 25V 680mA 1个N沟道
品牌
ON
封装
SOT-23
库存
15,623
货期
现货
FDV303N参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | ON(安森美) |
| 批次 | 25+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV |
| 输入电容(Ciss) | 50pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 28pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 15,623 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 25V |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.3nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±8V |
FDV303N概述
场效应管(MOSFET) 350mW 25V 680mA 1个N沟道
FDV303N特性
暂无产品特性。
FDV303N应用领域
暂无应用领域。