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FDT86246-VB
IC

SOT-223

可供量大可议

FDT86246-VB

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单极N型MOSFET, 采用Trench技术, 在小功率电源、消费类电子、医疗器械和LED照明等领域中广泛应用。 SOT223; N—Channel沟道, 150V; 3A; RDS(ON)=283mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=2~4V

品牌

VBsemi

封装

SOT-223

库存

10

货期

现货

FDT86246-VB参数

封装SOT-223
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存10

FDT86246-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单极N型MOSFET, 采用Trench技术, 在小功率电源、消费类电子、医疗器械和LED照明等领域中广泛应用。 SOT223; N—Channel沟道, 150V; 3A; RDS(ON)=283mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=2~4V

FDT86246-VB特性

暂无产品特性。

FDT86246-VB应用领域

暂无应用领域。

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