FDT86106LZ
IC
SOT-223-4
可供量大可议
FDT86106LZ
此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的， 特别适用于最大程度降低导通电阻， 同时保持卓越的开关性能。 增加了 G-S 齐纳以提高 ESD 电压水平。
品牌
onsemi
封装
SOT-223-4
库存
200
货期
现货
FDT86106LZ参数
| 封装 | SOT-223-4 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 耗散功率(Pd) | 2.2W |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 46pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:100V 电流:3.2A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 200 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.3nC |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | FDT86106LZ |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.00019 |
FDT86106LZ概述
这款N沟道逻辑电平MOSFET采用先进的功率沟槽工艺制造, 该工艺经过特殊设计, 可在保持卓越开关性能的同时, 最大程度降低导通电阻。 增加了栅源(G-S)齐纳二极管, 以提高静电放电(ESD)电压等级。
FDT86106LZ特性
- 在VGS = 10 V、ID = 3.2 A时, 最大导通电阻rDS(on) = 108 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 2.7 A时, 最大导通电阻rDS(on) = 153 mΩ
- 高性能沟槽技术, 实现极低的导通电阻rDS(on)
- 采用广泛使用的表面贴装封装, 具备高功率和大电流处理能力
- 人体模型(HBM)静电放电保护等级典型值>3 KV
- 100%进行非箝位感性负载(UII)测试
- 符合RoHS标准
FDT86106LZ应用领域
- 直流
- 直流转换