FDT86102LZ
IC
SOT-223
可供量大可议
FDT86102LZ
此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的， 特别适用于最大程度降低导通电阻和开关损耗。 增加了 G-S 齐纳以提高 ESD 电压水平。
品牌
onsemi
封装
SOT-223
库存
3
货期
现货
FDT86102LZ参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3 |
FDT86102LZ概述
此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的， 特别适用于最大程度降低导通电阻和开关损耗。 增加了 G-S 齐纳以提高 ESD 电压水平。
FDT86102LZ特性
暂无产品特性。
FDT86102LZ应用领域
暂无应用领域。