FDT457N

这些 N 沟道增强型电场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。 这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻， 可提供出色的开关性能。 这些产品非常适合低电压、低电流应用， 如笔记本电脑电源管理、电池供电电路， 以及直流电机控制。