FDT1600N10ALZ
IC
SOT-223
可供量大可议
FDT1600N10ALZ
此 N 沟道 MOSFET 使用先进的 PowerTrench 工艺生产， 该工艺适用于最大程度降低导通电阻， 同时保持卓越的开关性能。
品牌
onsemi
封装
SOT-223
库存
233
货期
现货
FDT1600N10ALZ参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 233 |
FDT1600N10ALZ概述
此 N 沟道 MOSFET 使用先进的 PowerTrench 工艺生产， 该工艺适用于最大程度降低导通电阻， 同时保持卓越的开关性能。
FDT1600N10ALZ特性
暂无产品特性。
FDT1600N10ALZ应用领域
暂无应用领域。