FDT1600N10A-VB
IC
SOT-223
可供量大可议
FDT1600N10A-VB
特性：无卤， 符合 IEC 61249-2-21 定义。 沟槽功率 MOSFET。 最高结温 175℃。 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
品牌
VBsemi
封装
SOT-223
库存
1
货期
现货
FDT1600N10A-VB参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
FDT1600N10A-VB概述
特性：无卤， 符合 IEC 61249-2-21 定义。 沟槽功率 MOSFET。 最高结温 175℃。 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
FDT1600N10A-VB特性
暂无产品特性。
FDT1600N10A-VB应用领域
暂无应用领域。