FDS9435A
自营可供
IC
SO-8
FDS9435A
场效应管(MOSFET) 2.5W 30V 5.3A 1个P沟道
品牌
ON
封装
SO-8
交期
现货
批次
25+
FDS9435A参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | ON(安森美) |
| 批次 | 25+ |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 输入电容(Ciss) | 528pF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 输出电容(Coss) | 132pF |
| 商品名称 | 1个P沟道 耐压:30V 电流:5.3A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5,101 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF |
| 类型 | P沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±25V |
| 商品型号 | FDS9435A |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000206 |
FDS9435A概述
场效应管(MOSFET) 2.5W 30V 5.3A 1个P沟道
FDS9435A特性
- -5.3 A, -30 V, VGS = -10 V时, RDS(ON) = 50 mΩ
- VGS = -4.5 V时, RDS(ON) = 80 mΩ
- 低栅极电荷
- 快速开关速度
- 高性能沟槽技术, 实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
- SO-8封装
FDS9435A应用领域
- 电源管理-负载开关-电池保护