FDS8936A-HXY

本场效应管（MOSFET）为N+N沟道组合结构， 具备优良的导通特性和双向电流控制能力。 其漏极电流ID可达6A， 漏源电压VDSS为30V， 适用于中低功率电源管理应用。 导通电阻RDON低至25mΩ， 可有效减少能量损耗， 提升系统效率。 该器件适用于各类中小型电子设备中的DC-DC转换、电池充放电控制、电机驱动及负载开关等场景， 具有良好的稳定性和广泛的电路兼容性。