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FDS89161LZ-VB
IC

SO-8

可供量大可议

FDS89161LZ-VB

台积电流片, 长电科技封装; 是一款一款双N沟道场效应管, 采用Trench技术, 适用于电源管理模块、信号放大器、LED驱动模块、电动工具控制器等多种领域和模块。 SOP8; 2个N—Channel沟道, 100V; 5.8A; RDS(ON)=63mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=2~4.5V

品牌

VBsemi

封装

SO-8

库存

24

货期

现货

FDS89161LZ-VB参数

封装SO-8
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存24

FDS89161LZ-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款一款双N沟道场效应管, 采用Trench技术, 适用于电源管理模块、信号放大器、LED驱动模块、电动工具控制器等多种领域和模块。 SOP8; 2个N—Channel沟道, 100V; 5.8A; RDS(ON)=63mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=2~4.5V

FDS89161LZ-VB特性

暂无产品特性。

FDS89161LZ-VB应用领域

暂无应用领域。

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