FDS8858CZ

此类双 N 和 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的， 特别适合最大程度降低导通电阻， 同时保持卓越的开关性能。 此类器件适用于需要线内低功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用。