FDS8840NZ
IC
SO-8
可供量大可议
FDS8840NZ
FDS8840NZ 适用于最大程度降低电源转换应用中的损耗。 同时结合了硅和封装技术的发展， 可提供最低的 rDS(on)， 同时保持卓越的开关性能。
品牌
onsemi
封装
SO-8
库存
200
货期
现货
FDS8840NZ参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 栅极电荷量(Qg) | 144nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 445pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | FDS8840NZ |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.00022 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 200 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 输入电容(Ciss) | 7.535nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 650pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:40V 电流:18.6A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
FDS8840NZ概述
FDS8840NZ旨在最大限度地减少功率转换应用中的损耗。 结合了硅技术和封装技术的进步, 在保持出色开关性能的同时, 实现了最低的导通电阻rDS(on)。
FDS8840NZ特性
- 在VGS = 10 V、ID = 18.6 A时, 最大导通电阻rDS(on) = 4.5 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 14.9 A时, 最大导通电阻rDS(on) = 6.0 mΩ
- 典型人体模型(HBM)静电放电保护等级为6 kV
- 高性能沟槽技术, 实现极低的导通电阻rDS(on)和快速开关
- 高功率和电流处理能力
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR), 符合RoHS标准
FDS8840NZ应用领域
- 用于Vcore和服务器的同步降压电路
- 笔记本电脑电池组
- 负载开关