FDS86267P
IC
SO-8
可供量大可议
FDS86267P
此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的， 该工艺结合了屏蔽门极技术。 此工艺经过了优化， 可最大程度降低导通电阻， 同时可保持卓越的开关性能。
品牌
onsemi
封装
SO-8
库存
80
货期
现货
FDS86267P参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 80 |
FDS86267P概述
此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的， 该工艺结合了屏蔽门极技术。 此工艺经过了优化， 可最大程度降低导通电阻， 同时可保持卓越的开关性能。
FDS86267P特性
暂无产品特性。
FDS86267P应用领域
暂无应用领域。