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FDS86252-VB
IC

SO-8

可供量大可议

FDS86252-VB

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单极性N型MOSFET, 采用Trench工艺制造, 适用于需要小型化和高集成度的应用。 SOP8; N—Channel沟道, 100V; 9A; RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=1~3V

品牌

VBsemi

封装

SO-8

库存

5

货期

现货

FDS86252-VB参数

封装SO-8
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存5

FDS86252-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单极性N型MOSFET, 采用Trench工艺制造, 适用于需要小型化和高集成度的应用。 SOP8; N—Channel沟道, 100V; 9A; RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=1~3V

FDS86252-VB特性

暂无产品特性。

FDS86252-VB应用领域

暂无应用领域。

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