FDS86252
自营可供
IC
SOP-8
FDS86252
此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的， 特别适用于最大程度降低导通电阻， 同时保持卓越的开关性能。
品牌
onsemi
封装
SOP-8
交期
现货
批次
—
FDS86252参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 150V |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W； 5W |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | FDS86252 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.00022 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5000 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 输入电容(Ciss) | 955pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 77pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:150V 电流:4.5A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
FDS86252概述
这款N沟道MOSFET采用仙童半导体公司先进的Power Trench®工艺制造, 该工艺经过特别设计, 可将导通电阻降至最低, 同时保持出色的开关性能。
FDS86252特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 4.5 A 时, 最大 rDS(on) = 55 m Ω
- 在 VGS = 6 V、ID = 3.7 A 时, 最大 rDS(on) = 80 m Ω
- 高性能沟槽技术, 实现极低的RDS(ON)
- 在广泛使用的表面贴装封装中具备高功率和高电流处理能力
- 经过100%单脉冲雪崩能量(UIL)测试
- 符合RoHS标准
FDS86252应用领域
- 直流-直流转换