FDS7779Z-HXY

本产品为P沟道场效应管（MOSFET）， 具有较高的电流承载能力， 连续漏极电流ID可达15A， 漏源击穿电压VDSS为30V， 适合中低压功率应用需求。 导通电阻RDON低至5.8mΩ， 可有效降低导通损耗， 提高系统效率。 适用于电源管理、开关电路、负载控制及便携式设备中的功率转换场景， 提供稳定可靠的性能表现。