FDS6990S-HXY

本款场效应管（MOSFET）采用N+N沟道设计， 具备良好的导通性能与高效的电流控制能力。 其漏极电流ID可达8.5A， 漏源电压VDSS为30V， 适用于中功率电源管理及转换应用。 导通电阻RDON低至17mΩ， 有助于降低工作损耗， 提高系统效率。 该器件适用于各类通用电源、负载开关、适配器及充电设备中的高频开关电路， 提供稳定可靠的电气性能， 满足多样化电子产品的设计需求。