FDS6984S-HXY

本款场效应管（MOSFET）采用N+N沟道组合设计， 具备优异的导通与开关性能。 其漏极电流ID可达8.5A， 漏源电压VDSS为30V， 确保在中高功率应用中的稳定性。 导通电阻RDON低至17mΩ， 有助于降低导通损耗并提升系统效率。 该器件适用于电源管理、消费类电子设备及高性能计算模块等场景， 提供紧凑且高效的电路解决方案。