FDS6982AS-HXY

本场效应管（MOSFET）为N+N沟道组合结构， 具备良好的导通特性和开关响应。 其最大漏极电流ID为10A， 漏源耐压VDSS达30V， 适用于中高功率电源系统。 导通电阻RDON仅为12mΩ， 有效降低功率损耗并提升整体效率。 该器件可广泛应用于电源转换器、同步整流、电池管理系统及高性能计算设备中的开关电路， 具备稳定的工作表现和较强的适用性。