FDS6912A
IC
SO-8
可供量大可议
FDS6912A
此类 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的, 特别适用于最大程度降低导通电阻, 同时保持出色的开关性能。 此类器件非常适用于要求线内低功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。
品牌
onsemi
封装
SO-8
库存
2,562
货期
现货
FDS6912A参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2562 |
FDS6912A概述
此类 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的, 特别适用于最大程度降低导通电阻, 同时保持出色的开关性能。 此类器件非常适用于要求线内低功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。
FDS6912A特性
暂无产品特性。
FDS6912A应用领域
暂无应用领域。
