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FDS6892A-HXY
IC

SOP-8

可供量大可议

FDS6892A-HXY

FDS6892A 型号MOS管采用N+N沟道工艺, 封装在小巧的SOP-8封装形式中, 专为现代高集成度电路设计。 在20V额定电压VDSS下, 器件能稳定传输8A的连续漏极电流ID, 同时具备优秀的13mR导通电阻RD(on), 确保了高效能与低功耗表现。 广泛应用于电源转换、负载驱动等领域, 是提升系统性能和节能减排的优质半导体组件。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOP-8

库存

35

货期

现货

FDS6892A-HXY参数

封装SOP-8
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存35

FDS6892A-HXY概述

FDS6892A 型号MOS管采用N+N沟道工艺, 封装在小巧的SOP-8封装形式中, 专为现代高集成度电路设计。 在20V额定电压VDSS下, 器件能稳定传输8A的连续漏极电流ID, 同时具备优秀的13mR导通电阻RD(on), 确保了高效能与低功耗表现。 广泛应用于电源转换、负载驱动等领域, 是提升系统性能和节能减排的优质半导体组件。

FDS6892A-HXY特性

暂无产品特性。

FDS6892A-HXY应用领域

暂无应用领域。

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