FDS6892A-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
FDS6892A-HXY
FDS6892A 型号MOS管采用N+N沟道工艺, 封装在小巧的SOP-8封装形式中, 专为现代高集成度电路设计。 在20V额定电压VDSS下, 器件能稳定传输8A的连续漏极电流ID, 同时具备优秀的13mR导通电阻RD(on), 确保了高效能与低功耗表现。 广泛应用于电源转换、负载驱动等领域, 是提升系统性能和节能减排的优质半导体组件。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOP-8
库存
35
货期
现货
FDS6892A-HXY参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 35 |
FDS6892A-HXY概述
FDS6892A 型号MOS管采用N+N沟道工艺, 封装在小巧的SOP-8封装形式中, 专为现代高集成度电路设计。 在20V额定电压VDSS下, 器件能稳定传输8A的连续漏极电流ID, 同时具备优秀的13mR导通电阻RD(on), 确保了高效能与低功耗表现。 广泛应用于电源转换、负载驱动等领域, 是提升系统性能和节能减排的优质半导体组件。
FDS6892A-HXY特性
暂无产品特性。
FDS6892A-HXY应用领域
暂无应用领域。
