FDS6890A-HXY

本款N+N沟道场效应管（MOSFET）采用双通道设计， 单通道支持连续漏极电流达8A（ID）， 漏源耐压（VDSS）为20V， 导通电阻低至13毫欧（RDON）， 有效降低功率损耗。 器件具备优异的开关速度与热稳定性， 适用于高性能电源转换、便携式电子设备、通信模块及计算平台中的同步整流、负载开关、电机控制及电池管理系统， 可提升整体系统效率与响应速度。