FDS6694-HXY

本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET）， 适用于高效率、低损耗的电力电子转换系统。 其主要参数包括：漏极电流ID为13A， 漏源电压VDSS为30V， 导通电阻RDON仅为9.5mΩ， 有助于降低导通损耗并提升整体系统效率。 该器件采用成熟工艺制造， 具备良好的热稳定性和可靠性， 适合用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及各类高性能电子设备中， 满足对空间和能效有较高要求的设计场景。