FDS6685(UMW)
IC
SOP-8
可供量大可议
FDS6685(UMW)
特性：这是一款采用先进PowerTrench工艺的坚固栅极版本P沟道MOSFET， 针对需要宽范围栅极驱动电压额定值（4.5V-25V）的电源管理应用进行了优化。 VDS(V) = -30V。 ID = -8.8A（VGS = 10V）。 RDS(ON) < 20mΩ（VGS = 10V）。 RDS(ON) < 35mΩ（VGS = 4.5V）。 高功率和电流处理能力。 采用高性能沟槽技术， 实现极低的RDS(on)。 低栅极电荷（典型值17nC）。 快速开关速度
品牌
UMW
封装
SOP-8
库存
1,070
货期
现货
FDS6685(UMW)参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | UMW(友台半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1070 |
FDS6685(UMW)概述
特性：这是一款采用先进PowerTrench工艺的坚固栅极版本P沟道MOSFET， 针对需要宽范围栅极驱动电压额定值（4.5V-25V）的电源管理应用进行了优化。 VDS(V) = -30V。 ID = -8.8A（VGS = 10V）。 RDS(ON) < 20mΩ（VGS = 10V）。 RDS(ON) < 35mΩ（VGS = 4.5V）。 高功率和电流处理能力。 采用高性能沟槽技术， 实现极低的RDS(on)。 低栅极电荷（典型值17nC）。 快速开关速度
FDS6685(UMW)特性
暂无产品特性。
FDS6685(UMW)应用领域
暂无应用领域。