FDS6676S-HXY

本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET）， 具备优异的导通性能与开关特性。 其漏极电流ID可达18A， 漏源电压VDSS为30V， 确保在中高功率应用中的稳定运行。 导通电阻RDON低至5mΩ， 有效降低导通损耗， 提高系统效率。 适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及各类高密度电子设备中， 满足对小型化与高效能有要求的电路设计需求。