FDS6676AS-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
FDS6676AS-HXY
FDS6676AS 是一款高性能N沟道MOSFET, 采用节省空间的SOP-8封装, 适配各种精密电子设备。 其核心特性包括30V的最大漏源电压VDSS, 能够承载高达18A的连续直流电流, 展现出强大的驱动能力。 更值得一提的是, 此款器件的导通电阻极低, 仅为5.5mR, 这将显著提高系统效率, 降低功耗, 并广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域, 是高能效解决方案的理想选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOP-8
库存
45
货期
现货
FDS6676AS-HXY参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 45 |
FDS6676AS-HXY概述
FDS6676AS 是一款高性能N沟道MOSFET, 采用节省空间的SOP-8封装, 适配各种精密电子设备。 其核心特性包括30V的最大漏源电压VDSS, 能够承载高达18A的连续直流电流, 展现出强大的驱动能力。 更值得一提的是, 此款器件的导通电阻极低, 仅为5.5mR, 这将显著提高系统效率, 降低功耗, 并广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域, 是高能效解决方案的理想选择。
FDS6676AS-HXY特性
暂无产品特性。
FDS6676AS-HXY应用领域
暂无应用领域。
