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FDS6676AS-HXY
IC

SOP-8

可供量大可议

FDS6676AS-HXY

FDS6676AS 是一款高性能N沟道MOSFET, 采用节省空间的SOP-8封装, 适配各种精密电子设备。 其核心特性包括30V的最大漏源电压VDSS, 能够承载高达18A的连续直流电流, 展现出强大的驱动能力。 更值得一提的是, 此款器件的导通电阻极低, 仅为5.5mR, 这将显著提高系统效率, 降低功耗, 并广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域, 是高能效解决方案的理想选择。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOP-8

库存

45

货期

现货

FDS6676AS-HXY参数

封装SOP-8
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存45

FDS6676AS-HXY概述

FDS6676AS 是一款高性能N沟道MOSFET, 采用节省空间的SOP-8封装, 适配各种精密电子设备。 其核心特性包括30V的最大漏源电压VDSS, 能够承载高达18A的连续直流电流, 展现出强大的驱动能力。 更值得一提的是, 此款器件的导通电阻极低, 仅为5.5mR, 这将显著提高系统效率, 降低功耗, 并广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域, 是高能效解决方案的理想选择。

FDS6676AS-HXY特性

暂无产品特性。

FDS6676AS-HXY应用领域

暂无应用领域。

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