FDS6673BZ-HXY

FDS6673BZ 是一款P沟道MOSFET， 采用SOP-8封装， 专为高效能、低损耗的大电流应用设计。 器件具有30V的最大漏源电压(VDSS)， 并能承载高达18A的连续漏极电流， 确保卓越的电力传输性能。 其7.5mΩ的超低导通电阻(RD(on))显著提升了系统能效， 降低了运行损耗。 广泛应用于电源转换、电机驱动、开关电源控制器等领域， 是高要求电子设计的理想半导体元件。