FDS6673AZ-HXY

本P沟道场效应管（MOSFET）具有30V漏源电压（VDSS）和15A连续漏极电流（ID）能力， 导通电阻（RDON）低至5.8mΩ， 有效降低功率损耗并提升系统效率。 器件采用成熟稳定的制造工艺， 具备良好的热管理和可靠性表现， 适用于电源转换、开关电路、负载控制等多样化应用场合。 其P沟道设计在逻辑驱动与低边开关中展现良好性能， 适合对效率与稳定性有较高要求的电子设备使用。