FDS6670S-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
FDS6670S-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有15A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。 器件在中等功率应用中表现出良好的导通特性和较低的功耗， 适用于对体积和效率有一定要求的电源管理、负载开关及同步整流等电路场合。 其参数组合兼顾性能与成本， 适合多种通用电子系统中的开关与控制功能。
Brand
HXY MOSFET
Package
SOP-8
Stock
90
货期
现货
FDS6670S-HXYParameters
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 90 |
FDS6670S-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有15A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。 器件在中等功率应用中表现出良好的导通特性和较低的功耗， 适用于对体积和效率有一定要求的电源管理、负载开关及同步整流等电路场合。 其参数组合兼顾性能与成本， 适合多种通用电子系统中的开关与控制功能。
FDS6670S-HXY特性
暂无产品特性。
FDS6670S-HXY应用领域
暂无应用领域。