FDS6612A(UMW)
IC
SOP-8
可供量大可议
FDS6612A(UMW)
特性：VDS(V)=30V。 ID = 8.4A(VGS = 10V)。 RDS(ON)< 22mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON)< 30mΩ (VGS = 4.5V)。 快速开关速度。 低栅极电荷。 高功率和电流处理能力。 采用高性能沟槽技术， 实现极低的RDS(ON)
品牌
UMW
封装
SOP-8
库存
1,505
货期
现货
FDS6612A(UMW)参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | UMW(友台半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1505 |
FDS6612A(UMW)概述
特性：VDS(V)=30V。 ID = 8.4A(VGS = 10V)。 RDS(ON)< 22mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON)< 30mΩ (VGS = 4.5V)。 快速开关速度。 低栅极电荷。 高功率和电流处理能力。 采用高性能沟槽技术， 实现极低的RDS(ON)
FDS6612A(UMW)特性
暂无产品特性。
FDS6612A(UMW)应用领域
暂无应用领域。