FDS6570A-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
FDS6570A-HXY
FDS6570A 型号MOS管采用主流SOP-8封装, 内置高速N沟道技术, 专为高效率功率转换设计。 该器件具有20V的漏源耐压(VDSS), 可承载高达20A的连续漏极电流(ID), 展现出卓越的电流处理能力。 尤其引人注目的是其低至6.3mR的导通电阻(RD(on)), 有效提高系统效率并减少热损耗。 此MOS管广泛应用在电源管理、快速开关电路、大电流负载驱动等场景, 是您优化电路设计、提升产品性能的理想半导体组件。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOP-8
库存
40
货期
现货
FDS6570A-HXY参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
FDS6570A-HXY概述
FDS6570A 型号MOS管采用主流SOP-8封装, 内置高速N沟道技术, 专为高效率功率转换设计。 该器件具有20V的漏源耐压(VDSS), 可承载高达20A的连续漏极电流(ID), 展现出卓越的电流处理能力。 尤其引人注目的是其低至6.3mR的导通电阻(RD(on)), 有效提高系统效率并减少热损耗。 此MOS管广泛应用在电源管理、快速开关电路、大电流负载驱动等场景, 是您优化电路设计、提升产品性能的理想半导体组件。
FDS6570A-HXY特性
暂无产品特性。
FDS6570A-HXY应用领域
暂无应用领域。
