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FDS6570A-HXY
IC

SOP-8

可供量大可议

FDS6570A-HXY

FDS6570A 型号MOS管采用主流SOP-8封装, 内置高速N沟道技术, 专为高效率功率转换设计。 该器件具有20V的漏源耐压(VDSS), 可承载高达20A的连续漏极电流(ID), 展现出卓越的电流处理能力。 尤其引人注目的是其低至6.3mR的导通电阻(RD(on)), 有效提高系统效率并减少热损耗。 此MOS管广泛应用在电源管理、快速开关电路、大电流负载驱动等场景, 是您优化电路设计、提升产品性能的理想半导体组件。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOP-8

库存

40

货期

现货

FDS6570A-HXY参数

封装SOP-8
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存40

FDS6570A-HXY概述

FDS6570A 型号MOS管采用主流SOP-8封装, 内置高速N沟道技术, 专为高效率功率转换设计。 该器件具有20V的漏源耐压(VDSS), 可承载高达20A的连续漏极电流(ID), 展现出卓越的电流处理能力。 尤其引人注目的是其低至6.3mR的导通电阻(RD(on)), 有效提高系统效率并减少热损耗。 此MOS管广泛应用在电源管理、快速开关电路、大电流负载驱动等场景, 是您优化电路设计、提升产品性能的理想半导体组件。

FDS6570A-HXY特性

暂无产品特性。

FDS6570A-HXY应用领域

暂无应用领域。

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