FDS5690

这款 N 沟道 MOSFET 采用半导体公司先进的 PowerTrench 工艺制造， 该工艺经过特别优化， 可最大程度降低导通电阻， 同时保持卓越的开关性能。 这些器件非常适合需要低线路功率损耗和快速开关的低压及电池供电应用。