FDS4435BZ
自营可供
IC
SO-8
FDS4435BZ
场效应管(MOSFET) 2.5W 30V 8.8A 1个P沟道
品牌
ON
封装
SO-8
交期
现货
批次
25+
FDS4435BZ参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | ON(安森美) |
| 批次 | 25+ |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 输入电容(Ciss) | 1.845nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 365pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 11,137 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 345pF |
| 类型 | P沟道 |
FDS4435BZ概述
场效应管(MOSFET) 2.5W 30V 8.8A 1个P沟道