FDS4410A-HXY

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有出色的导通特性， 导通电阻（RDON）低至9.5mΩ， 有效降低导通损耗， 提升系统能效。 漏源电压（VDSS）为30V， 可持续承载13A漏极电流（ID）， 适用于多种中高功率电源管理与控制场景。 器件基于成熟半导体工艺打造， 具备良好的热稳定性与可靠性， 适合应用于开关电源、电机驱动、负载开关及各类电子设备中的功率调节模块。