FDPF3860T
IC
TO-220F
可供量大可议
FDPF3860T
此 N 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench 工艺生产的， 该工艺适用于最大程度降低导通电阻， 同时保持卓越的开关性能。
品牌
onsemi
封装
TO-220F
库存
208
货期
现货
FDPF3860T参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 208 |
FDPF3860T概述
此 N 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench 工艺生产的， 该工艺适用于最大程度降低导通电阻， 同时保持卓越的开关性能。
FDPF3860T特性
暂无产品特性。
FDPF3860T应用领域
暂无应用领域。