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FDPF18N20FT-VB
IC

TO-220F

可供量大可议

FDPF18N20FT-VB

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单N型沟道MOSFE, 采用Trench工艺, 适用于电源模块、汽车电子模块、太阳能逆变器模块等领域。 TO220F; N—Channel沟道, 200V; 20A; RDS(ON)=58mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=2~4V

品牌

VBsemi

封装

TO-220F

库存

22

货期

现货

FDPF18N20FT-VB参数

封装TO-220F
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存22

FDPF18N20FT-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单N型沟道MOSFE, 采用Trench工艺, 适用于电源模块、汽车电子模块、太阳能逆变器模块等领域。 TO220F; N—Channel沟道, 200V; 20A; RDS(ON)=58mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=2~4V

FDPF18N20FT-VB特性

暂无产品特性。

FDPF18N20FT-VB应用领域

暂无应用领域。

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