FDP5N50-HXY

该N沟道场效应管具备500V漏源击穿电压与4.5A连续漏极电流， 导通电阻为1200毫欧， 栅源耐压上限30V。 器件凭借高耐压特性， 适用于高压开关电源、LED照明驱动及适配器电路。 在功率转换环节中， 其参数组合可支持高效的开关操作， 满足各类电子设备对功率控制元件在耐压与电流承载方面的基础需求。