FDP5680-HXY
IC
TO-220C
可供量大可议
FDP5680-HXY
该N沟道场效应管最大漏极电流为60A, 漏源击穿电压达60V, 导通电阻典型值为17毫欧, 栅源驱动电压支持20V。 凭借低导通损耗与高电流承载能力, 适用于大电流开关电源、电机驱动模块及电池管理系统等场景, 能有效提升能量转换效率并降低热设计难度, 满足高功率密度电路对开关器件的严苛要求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C
库存
19
货期
现货
FDP5680-HXY参数
| 封装 | TO-220C |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 19 |
FDP5680-HXY概述
该N沟道场效应管最大漏极电流为60A, 漏源击穿电压达60V, 导通电阻典型值为17毫欧, 栅源驱动电压支持20V。 凭借低导通损耗与高电流承载能力, 适用于大电流开关电源、电机驱动模块及电池管理系统等场景, 能有效提升能量转换效率并降低热设计难度, 满足高功率密度电路对开关器件的严苛要求。
FDP5680-HXY特性
暂无产品特性。
FDP5680-HXY应用领域
暂无应用领域。
