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FDP5680-HXY
IC

TO-220C

可供量大可议

FDP5680-HXY

该N沟道场效应管最大漏极电流为60A, 漏源击穿电压达60V, 导通电阻典型值为17毫欧, 栅源驱动电压支持20V。 凭借低导通损耗与高电流承载能力, 适用于大电流开关电源、电机驱动模块及电池管理系统等场景, 能有效提升能量转换效率并降低热设计难度, 满足高功率密度电路对开关器件的严苛要求。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C

库存

19

货期

现货

FDP5680-HXY参数

封装TO-220C
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存19

FDP5680-HXY概述

该N沟道场效应管最大漏极电流为60A, 漏源击穿电压达60V, 导通电阻典型值为17毫欧, 栅源驱动电压支持20V。 凭借低导通损耗与高电流承载能力, 适用于大电流开关电源、电机驱动模块及电池管理系统等场景, 能有效提升能量转换效率并降低热设计难度, 满足高功率密度电路对开关器件的严苛要求。

FDP5680-HXY特性

暂无产品特性。

FDP5680-HXY应用领域

暂无应用领域。

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