FDP3682-HXY
IC
TO-220
可供量大可议
FDP3682-HXY
该N沟道场效应管最大漏极电流为33A, 漏源击穿电压达100V, 导通电阻为30毫欧, 栅源电压耐受值为20V。 其参数特性适用于中等功率开关场景, 如服务器电源模块、通信设备供电单元及消费类电子产品的功率控制电路。 在高频切换应用中, 该器件能有效管理导通损耗, 确保系统在稳定电压下高效运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220
库存
23
货期
现货
FDP3682-HXY参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 23 |
FDP3682-HXY概述
该N沟道场效应管最大漏极电流为33A, 漏源击穿电压达100V, 导通电阻为30毫欧, 栅源电压耐受值为20V。 其参数特性适用于中等功率开关场景, 如服务器电源模块、通信设备供电单元及消费类电子产品的功率控制电路。 在高频切换应用中, 该器件能有效管理导通损耗, 确保系统在稳定电压下高效运行。
FDP3682-HXY特性
暂无产品特性。
FDP3682-HXY应用领域
暂无应用领域。
