库存与价格 最近更新:2026年10月8日 02:13(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
FDP3682-HXY
IC

TO-220

可供量大可议

FDP3682-HXY

该N沟道场效应管最大漏极电流为33A, 漏源击穿电压达100V, 导通电阻为30毫欧, 栅源电压耐受值为20V。 其参数特性适用于中等功率开关场景, 如服务器电源模块、通信设备供电单元及消费类电子产品的功率控制电路。 在高频切换应用中, 该器件能有效管理导通损耗, 确保系统在稳定电压下高效运行。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220

库存

23

货期

现货

FDP3682-HXY参数

封装TO-220
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存23

FDP3682-HXY概述

该N沟道场效应管最大漏极电流为33A, 漏源击穿电压达100V, 导通电阻为30毫欧, 栅源电压耐受值为20V。 其参数特性适用于中等功率开关场景, 如服务器电源模块、通信设备供电单元及消费类电子产品的功率控制电路。 在高频切换应用中, 该器件能有效管理导通损耗, 确保系统在稳定电压下高效运行。

FDP3682-HXY特性

暂无产品特性。

FDP3682-HXY应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件