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FDP24AN06LA0-HXY
IC

TO-220C

可供量大可议

FDP24AN06LA0-HXY

该N沟道场效应管最大漏极电流为60A, 漏源击穿电压达60V, 导通电阻典型值为17毫欧, 栅源电压耐受范围为20V。 低导通损耗特性使其适用于大电流开关场景, 如电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统中的功率控制单元。 器件能在高频切换下保持高效能, 满足对热管理和空间紧凑性有严格要求的电子设备需求, 确保系统在连续负载下的稳定运行。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C

库存

23

货期

现货

FDP24AN06LA0-HXY参数

封装TO-220C
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存23

FDP24AN06LA0-HXY概述

该N沟道场效应管最大漏极电流为60A, 漏源击穿电压达60V, 导通电阻典型值为17毫欧, 栅源电压耐受范围为20V。 低导通损耗特性使其适用于大电流开关场景, 如电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统中的功率控制单元。 器件能在高频切换下保持高效能, 满足对热管理和空间紧凑性有严格要求的电子设备需求, 确保系统在连续负载下的稳定运行。

FDP24AN06LA0-HXY特性

暂无产品特性。

FDP24AN06LA0-HXY应用领域

暂无应用领域。

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