FDP24AN06LA0-HXY
IC
TO-220C
可供量大可议
FDP24AN06LA0-HXY
该N沟道场效应管最大漏极电流为60A, 漏源击穿电压达60V, 导通电阻典型值为17毫欧, 栅源电压耐受范围为20V。 低导通损耗特性使其适用于大电流开关场景, 如电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统中的功率控制单元。 器件能在高频切换下保持高效能, 满足对热管理和空间紧凑性有严格要求的电子设备需求, 确保系统在连续负载下的稳定运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C
库存
23
货期
现货
FDP24AN06LA0-HXY参数
| 封装 | TO-220C |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 23 |
FDP24AN06LA0-HXY概述
该N沟道场效应管最大漏极电流为60A, 漏源击穿电压达60V, 导通电阻典型值为17毫欧, 栅源电压耐受范围为20V。 低导通损耗特性使其适用于大电流开关场景, 如电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统中的功率控制单元。 器件能在高频切换下保持高效能, 满足对热管理和空间紧凑性有严格要求的电子设备需求, 确保系统在连续负载下的稳定运行。
FDP24AN06LA0-HXY特性
暂无产品特性。
FDP24AN06LA0-HXY应用领域
暂无应用领域。
