FDP20N50F

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。 此 MOSFET 适用于降低导通电阻， 提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。 UniFET FRFET MOSFET 的体二极管的逆向恢复性能由于终生控制而得以提高。 其 trr 小于 100nsec， 逆向 dv/dt 抗扰度为 15V/ns， 而普通 MOSFET 的这两个指标分别为 200nsec 和 4.5V/nsec 以上。 因此， 在 MOSFET 体二极管的性能非常重要的某些应用中， 它可以消除附加组件， 提高系统可靠性。 此器件系列适用于开关电力转换器应用， 如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。