FDP20AN06A0-HXY
IC
TO-220C
可供量大可议
FDP20AN06A0-HXY
这款N沟道场效应管具备60A连续漏极电流与60V漏源击穿电压, 导通电阻低至17毫欧, 栅源电压耐受值为20V。 低内阻特性显著降低导通损耗, 提升能效表现。 该器件适用于高电流密度的电源转换模块、直流电机驱动电路及便携式设备电池管理单元, 能够在高频开关环境下维持稳定性能, 满足对热设计及空间布局有严苛要求的电子系统应用需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C
库存
23
货期
现货
FDP20AN06A0-HXY参数
| 封装 | TO-220C |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 23 |
FDP20AN06A0-HXY概述
这款N沟道场效应管具备60A连续漏极电流与60V漏源击穿电压, 导通电阻低至17毫欧, 栅源电压耐受值为20V。 低内阻特性显著降低导通损耗, 提升能效表现。 该器件适用于高电流密度的电源转换模块、直流电机驱动电路及便携式设备电池管理单元, 能够在高频开关环境下维持稳定性能, 满足对热设计及空间布局有严苛要求的电子系统应用需求。
FDP20AN06A0-HXY特性
暂无产品特性。
FDP20AN06A0-HXY应用领域
暂无应用领域。
