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FDP20AN06A0-HXY
IC

TO-220C

可供量大可议

FDP20AN06A0-HXY

这款N沟道场效应管具备60A连续漏极电流与60V漏源击穿电压, 导通电阻低至17毫欧, 栅源电压耐受值为20V。 低内阻特性显著降低导通损耗, 提升能效表现。 该器件适用于高电流密度的电源转换模块、直流电机驱动电路及便携式设备电池管理单元, 能够在高频开关环境下维持稳定性能, 满足对热设计及空间布局有严苛要求的电子系统应用需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C

库存

23

货期

现货

FDP20AN06A0-HXY参数

封装TO-220C
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存23

FDP20AN06A0-HXY概述

这款N沟道场效应管具备60A连续漏极电流与60V漏源击穿电压, 导通电阻低至17毫欧, 栅源电压耐受值为20V。 低内阻特性显著降低导通损耗, 提升能效表现。 该器件适用于高电流密度的电源转换模块、直流电机驱动电路及便携式设备电池管理单元, 能够在高频开关环境下维持稳定性能, 满足对热设计及空间布局有严苛要求的电子系统应用需求。

FDP20AN06A0-HXY特性

暂无产品特性。

FDP20AN06A0-HXY应用领域

暂无应用领域。

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