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FDP13AN06A0-SW82126-HXY
IC

TO-220C

可供量大可议

FDP13AN06A0-SW82126-HXY

该N沟道场效应管最大漏极电流为60A, 漏源击穿电压达60V, 导通电阻低至11毫欧, 栅源电压耐受范围为20V。 凭借低导通损耗与高电流承载能力, 适用于大电流开关电源、电机驱动模块及电池管理系统中的功率切换环节, 能有效提升电路转换效率并降低热管理压力。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C

库存

23

货期

现货

FDP13AN06A0-SW82126-HXY参数

封装TO-220C
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存23

FDP13AN06A0-SW82126-HXY概述

该N沟道场效应管最大漏极电流为60A, 漏源击穿电压达60V, 导通电阻低至11毫欧, 栅源电压耐受范围为20V。 凭借低导通损耗与高电流承载能力, 适用于大电流开关电源、电机驱动模块及电池管理系统中的功率切换环节, 能有效提升电路转换效率并降低热管理压力。

FDP13AN06A0-SW82126-HXY特性

暂无产品特性。

FDP13AN06A0-SW82126-HXY应用领域

暂无应用领域。

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