FDP12N50NZ
IC
TO-220
可供量大可议
FDP12N50NZ
UniFET™ II MOSFET是基于先进平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。 该先进的MOSFET系列在平面MOSFET中具有最小的导通电阻， 还具备出色的开关性能和更高的雪崩能量强度。 此外， 内部栅源ESD二极管使UniFET II MOSFET能够承受超过2kV的人体模型（HBM）浪涌应力
品牌
onsemi
封装
TO-220
库存
4
货期
现货
FDP12N50NZ参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4 |
FDP12N50NZ概述
UniFET™ II MOSFET是基于先进平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。 该先进的MOSFET系列在平面MOSFET中具有最小的导通电阻， 还具备出色的开关性能和更高的雪崩能量强度。 此外， 内部栅源ESD二极管使UniFET II MOSFET能够承受超过2kV的人体模型（HBM）浪涌应力
FDP12N50NZ特性
暂无产品特性。
FDP12N50NZ应用领域
暂无应用领域。