FDP100N10-HXY

该N沟道MOSFET具备70A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS）， 在栅源电压（VGS）为20V时， 其导通电阻（RDS(ON)）典型值为8.5毫欧。 低导通电阻有助于降低导通状态下的功率损耗， 提升系统效率。 器件适用于高电流、高频率的开关应用， 如电源管理模块、电机控制电路及各类高效能电力电子转换系统， 能够在严苛电气条件下保持稳定工作性能。