FDP047N10-HXY
IC
TO-220C
可供量大可议
FDP047N10-HXY
该N沟道MOSFET具有120A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至4.1毫欧。 其超低导通电阻有效降低导通损耗， 提升系统整体效率， 适用于高电流密度和高效率要求的电源转换、电机驱动及大功率开关电路等应用场合。 器件在高频工作条件下仍能保持良好的热稳定性和电气性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C
库存
19
货期
现货
FDP047N10-HXY参数
| 封装 | TO-220C |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 19 |
FDP047N10-HXY概述
该N沟道MOSFET具有120A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至4.1毫欧。 其超低导通电阻有效降低导通损耗， 提升系统整体效率， 适用于高电流密度和高效率要求的电源转换、电机驱动及大功率开关电路等应用场合。 器件在高频工作条件下仍能保持良好的热稳定性和电气性能。
FDP047N10-HXY特性
暂无产品特性。
FDP047N10-HXY应用领域
暂无应用领域。