FDP047N10
IC
TO-220
可供量大可议
FDP047N10
此 N 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench 工艺生产的， 该工艺适用于最大程度降低导通电阻， 同时保持卓越的开关性能。
品牌
onsemi
封装
TO-220
库存
3
货期
现货
FDP047N10参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3 |
FDP047N10概述
此 N 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench 工艺生产的， 该工艺适用于最大程度降低导通电阻， 同时保持卓越的开关性能。
FDP047N10特性
暂无产品特性。
FDP047N10应用领域
暂无应用领域。