FDP045N10A(UMW)
IC
TO-220
可供量大可议
FDP045N10A(UMW)
特性：采用特殊工艺生产， 旨在最小化导通电阻并保持出色的开关性能。 VDS(V) = 100V。 ID = 100A(VGS = 10V)。 RDS(ON) < 3.8mΩ (VGS = 10V)。 高功率和高电流处理能力。 高性能沟道技术可实现极低的Rps(on)。 符合RoHS标准。 快速开关速度。 低栅极电荷， QG = 54nC（典型值）
品牌
UMW
封装
TO-220
库存
985
货期
现货
FDP045N10A(UMW)参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | UMW(友台半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 985 |
FDP045N10A(UMW)概述
特性：采用特殊工艺生产， 旨在最小化导通电阻并保持出色的开关性能。 VDS(V) = 100V。 ID = 100A(VGS = 10V)。 RDS(ON) < 3.8mΩ (VGS = 10V)。 高功率和高电流处理能力。 高性能沟道技术可实现极低的Rps(on)。 符合RoHS标准。 快速开关速度。 低栅极电荷， QG = 54nC（典型值）
FDP045N10A(UMW)特性
暂无产品特性。
FDP045N10A(UMW)应用领域
暂无应用领域。