FDN86501LZ-HXY
IC
SOT-23-3L
可供量大可议
FDN86501LZ-HXY
FDN86501LZ 型号MOS管, 采用节省空间的SOT-23-3L封装, 尤其适合现代精密电路设计要求。 作为一款N沟道MOSFET, 它具备60V的高耐压等级和4.5A的连续漏极电流, 能够在严苛的电压电流环境下稳定工作。 其核心优势在于70mΩ的超低导通电阻, 有效降低了能量损耗, 提升系统工作效率。 广泛应用于电源转换器、电机控制、负载开关等各种电子设备中, 是实现高能效电路设计的理想元件选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23-3L
库存
39
货期
现货
FDN86501LZ-HXY参数
| 封装 | SOT-23-3L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 39 |
FDN86501LZ-HXY概述
FDN86501LZ 型号MOS管, 采用节省空间的SOT-23-3L封装, 尤其适合现代精密电路设计要求。 作为一款N沟道MOSFET, 它具备60V的高耐压等级和4.5A的连续漏极电流, 能够在严苛的电压电流环境下稳定工作。 其核心优势在于70mΩ的超低导通电阻, 有效降低了能量损耗, 提升系统工作效率。 广泛应用于电源转换器、电机控制、负载开关等各种电子设备中, 是实现高能效电路设计的理想元件选择。
FDN86501LZ-HXY特性
暂无产品特性。
FDN86501LZ-HXY应用领域
暂无应用领域。
