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FDN86501LZ-HXY
IC

SOT-23-3L

可供量大可议

FDN86501LZ-HXY

FDN86501LZ 型号MOS管, 采用节省空间的SOT-23-3L封装, 尤其适合现代精密电路设计要求。 作为一款N沟道MOSFET, 它具备60V的高耐压等级和4.5A的连续漏极电流, 能够在严苛的电压电流环境下稳定工作。 其核心优势在于70mΩ的超低导通电阻, 有效降低了能量损耗, 提升系统工作效率。 广泛应用于电源转换器、电机控制、负载开关等各种电子设备中, 是实现高能效电路设计的理想元件选择。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23-3L

库存

39

货期

现货

FDN86501LZ-HXY参数

封装SOT-23-3L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存39

FDN86501LZ-HXY概述

FDN86501LZ 型号MOS管, 采用节省空间的SOT-23-3L封装, 尤其适合现代精密电路设计要求。 作为一款N沟道MOSFET, 它具备60V的高耐压等级和4.5A的连续漏极电流, 能够在严苛的电压电流环境下稳定工作。 其核心优势在于70mΩ的超低导通电阻, 有效降低了能量损耗, 提升系统工作效率。 广泛应用于电源转换器、电机控制、负载开关等各种电子设备中, 是实现高能效电路设计的理想元件选择。

FDN86501LZ-HXY特性

暂无产品特性。

FDN86501LZ-HXY应用领域

暂无应用领域。

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